パワー半導体市場における日本企業の戦略
急拡大のパワー半導体市場における日本企業の戦略を考える――次世代素材SiC、GaN、Ga2O3の可能性は。パワー半導体市場において日本企業がとるべき戦略について、KPMGジャパン製造セクターの専門家より考察します。
急拡大のパワー半導体市場における日本企業の戦略を考える--次世代素材SiC、GaN、Ga2O3の可能性は。
EV(電気自動車)や産業機器、家電などに広く使用されるパワー半導体。2023年に約3兆円の市場規模は、2035年には13兆円を超えるという予測もあり、急拡大が見込まれています。パワー半導体の素材は主流のSi(シリコン)に加え、SiC(シリコンカーバイド)の採用が広がっています。メーカーは、海外勢では、独インフィニオン・テクノロジーズ、スイスのSTマイクロエレクトロニクス、米オン・セミコンダクターに加え、SiCで存在感を示す米ウルフスピードなどが突出する一方、国内では重電メーカーの半導体部門を中心に、複数社がシェアを競っている状況です。
さらなる新素材への注目も高まっています。日本企業は、GaN(窒化ガリウム)やGa2O3(酸化ガリウム)、ダイヤモンドなどの次世代素材に関して技術的優位性があり、先手を打つことで先行者利益を得られる可能性もあります。パワー半導体市場において日本企業がとるべき戦略について、KPMGジャパン 製造セクター アドバイザーの原島 弘明と同・友安 昌幸に、KPMGジャパン 製造セクター 統轄パートナー/KPMG FAS 執行役員パートナーの岡本 准が聞きました。
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執筆者
KPMGジャパン 製造セクター
アドバイザー 原島 弘明
KPMGジャパン 製造セクター
アドバイザー 友安 昌幸
KPMGジャパン 製造セクター 統轄パートナー
KPMG FAS 執行役員パートナー
岡本 准